ソニーセミコンダクタソリューションズは、世界初となる2層トランジスタ画素積層型CMOSイメージセンサー技術の開発に成功したと発表しました。



従来同一基板上で形成していたフォトダイオードと画素トランジスタの層を別々の基板に形成し積層する事で、従来比約2倍の飽和信号量を確保し、ダイナミックレンジ拡大とノイズ低減を実現し撮像特性を大幅に向上。

この技術が採用する画素構造は、従来の画素サイズに加えて、今後の更なる微細画素においても、画素特性の維持・向上を可能にするとしています。