SONY、メモリー一体型画像センサーを確立

SONYグループはイメージセンサーのチップ上にメモリーを積層する技術を確立したと発表しました。



センサーとロジック回路、メモリーを積層すると撮像からデータ処理、記録まで実現します。

ワンチップでコンピューターとして機能するようになり、機器の高性能化や低価格化、小型化につながる見通しとなっています。

ソニーセミコンダクタソリューションズ（神奈川県厚木市）の岡幹生デバイスエンジニアらが、相補型金属酸化膜半導体（CMOS）イメージセンサーに積層できるスピン注入型磁気抵抗メモリー（STT―MRAM）を開発。素子の太さを少し変えるだけで短時間データを蓄えるバッファーや長期間データを保存するメモリーとして利用出来ます。

同社ではCMOSイメージセンサーの下にロジック回路を、その下にMRAMを積層する構造を実現。MRAMのコバルト鉄ボロンの垂直磁気トンネル接合（pMTJ）を工夫したとの事。

MRAMは26ナノ秒のパルス電流で書き込めむ事が可能。耐久性試験では105度Cで100億回の書き込みに耐え、85度Cでも1秒間データを保持できるとしています。

pMTJの太さを1・15倍に太くするとデータの保持時間が2億倍長くなります。85度Cで7秒間データを保持できるpMTJと45年間保持できるpMTJを簡単に作り分けられます。イメージセンサーのデータを一時的に蓄えるバッファーとデータを長期間保存するメモリーを混載可能。

同社はセンサー素子と演算素子の融合を進めてきました。ここにメモリーを加えると、イメージセンサーのチップが単体でさまざまな情報処理をする様になります。

プロセッサとメモリ搭載したイメージセンサーってもはやセンサーでは無く超小型コンピューターですよね・・・。何にせよ、相変わらずSONYはイメージセンサー分野をぶっちぎってますねw